[发明专利]半导体发光二极管上的反射层的制造有效
| 申请号： | 200580014815.4 | 申请日： | 2005-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1998094A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | S·袁;X·康 | 申请（专利权）人： | 鼎奇科技私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 在半导体发光二极管上制造反射层。一种用于在半导体发光二极管上制造反射层的方法，该半导体发光二极管具有衬底上的若干外延层的晶片；该方法包括在若干外延层的正面上施加第一欧姆接触层，该第一欧姆接触层是反射材料以还用作反射层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光二极管 反射层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于在半导体发光二极管上制造反射层的方法，该半导体发光二极管由衬底上具有若干外延层的晶片制成，该方法包括在若干外延层的正面上应用第一欧姆接触层，该第一欧姆接触层是反射材料以便还用作在其与正面界面处的反射层。
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