[发明专利]具有源极连接的场板的宽带隙场效应晶体管有效
| 申请号： | 200580014866.7 | 申请日： | 2005-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1998089A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 吴益逢;P·帕里克;U·米史拉;M·摩尔 | 申请（专利权）人： | 美商克立股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/41 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种场效应晶体管包含依次形成于衬底上的缓冲层与沟道层。源极(18)、漏极(20)、及栅(22)皆形成电接触于该沟道层，且该栅位于该源极与漏极的之间。间隔层(26)形成于该栅与漏极之间的沟道层的至少一部分表面上，并且场板(30)形成于该间隔层上且隔离于该栅与沟道层。该场板(30)间隔层通过至少一个导电路径电连接到该源极，其中该场板减小该MESFET内的峰值工作电场。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 连接 宽带 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种金属半导体场效应晶体管(MESFET)，它包含：缓冲层，它位于衬底上；沟道层，它位于所述缓冲层上，且所述缓冲层被夹置于所述沟道层和所述衬底之间；源极，它与所述沟道层电接触；漏极，它也与所述沟道层电接触；栅，其与所述源极和所述漏极之间的所述沟道层电接触；间隔层，它位于所述栅与所述漏极之间的所述沟道层的至少一部分之上；以及场板，它单独位于所述间隔层上且与所述沟道层和栅相隔离，所述场板通过至少一个导电路径电连接到所述源极。
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