[发明专利]SiC单晶的生长方法和由该方法生长的SiC单晶无效
| 申请号： | 200580015054.4 | 申请日： | 2005-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1950548A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 木本恒畅;盐见弘;齐藤广明 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;六方有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/20;C30B29/36;C23C16/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以以实用的生长速度生长可以用作半导体材料的低缺陷、低杂质的SiC单晶的4H－SiC单晶外延生长方法以及由该得到的4H－SiC单晶。本发明的方法包括在使4H－SiC单晶衬底的外延生长面相对于4H－SiC单晶的(0001)面在<11－20>轴方向上以至少12度且低于30度的偏角倾斜的同时通过外延生长在所述衬底上生长4H－SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | sic 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC单晶生长方法，包括在使4H-SiC单晶衬底的外延生长面相对于4H-SiC单晶的(0001)面在<11-20>轴方向上以至少12度且低于30度的偏角倾斜的同时通过外延生长在所述衬底上生长4H-SiC单晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丰田自动车株式会社;六方有限公司，未经丰田自动车株式会社;六方有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580015054.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：区域阵列零件的共用通路退耦
- 下一篇：用于软组织增添的颗粒
