[发明专利]氧化镓单晶复合体及其制造方法和使用氧化镓单晶复合体的氮化物半导体膜的制造方法无效
| 申请号： | 200580015223.4 | 申请日： | 2005-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1973359A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 大平重男;名西憓之;荒木努;山口智广 | 申请（专利权）人： | 日本轻金属株式会社;学校法人立命馆 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B29/38;H01L21/203 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了氧化镓单晶复合体及其制造方法，以及氮化物半导体膜的制造方法，例如在结晶生长氮化物半导体时，可以减少六方晶系结晶的混入而得到相对于六方晶系结晶主导性生长立方晶结晶的高品质立方晶系结晶，特别是可以用作立方晶GaN外延生长的合适的衬底。氧化镓单晶复合体在氧化镓单晶的表面具有由立方晶氮化镓形成的氮化镓层；氧化镓单晶复合体的制造方法是：通过在氧化镓单晶表面进行使用ECR等离子体或RF等离子体的氮化处理，在上述氧化镓单晶表面形成由立方晶氮化镓形成的氮化镓层；另外，氮化物半导体膜的制造方法是：在上述氧化镓单晶复合体表面上通过RF－MBE法生长氮化物半导体膜。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 镓单晶 复合体 及其 制造 方法 使用 氮化物 半导体 | ||
【主权项】：
1.氧化镓单晶复合体，其特征在于，在氧化镓(Ga2O3)单晶的表面上具有由立方晶氮化镓(GaN)形成的氮化镓层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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