[发明专利]放射线检测器无效

专利信息
申请号: 200580015270.9 申请日: 2005-05-12
公开(公告)号: CN1954442A 公开(公告)日: 2007-04-25
发明(设计)人: 御子柴佳子;会田博之;川崎泰明;鬼桥浩志;本间克久 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子管器件株式会社
主分类号: H01L31/115 分类号: H01L31/115;G01T1/24;H01L27/14;H04N5/32
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沈昭坤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供能够提高光导电层的检测灵敏度的X射线检测器。使光导电层中含有重金属卤素化合物及卤素。能够形成抑制因X射线照射而引起的暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性的变化而稳定的光导电层。若在光导电层中含有剩余的卤素,则能够抑制在X射线照射时容易产生的重金属卤素化合物晶体结构中的卤素解离、以及伴随该解离而产生的晶体缺陷。卤素的解离,将在该光导电层中产生缺陷能级,成为电荷的深阱,对暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性产生影响。若光导电层中的剩余卤素过多,则卤素析出在晶界。妨碍光导电层的微晶间的导电性,大大妨碍X导电层的灵敏度特性、以及余像特性,余像将延长。
搜索关键词: 放射线 检测器
【主权项】:
1.一种放射线检测器,其特征在于,具有采集电荷的像素电极;设置在所述像素电极上并将入射的放射线变换为电荷,并且分别包含至少一种以上的重金属卤素化合物(ABn:A=重金属,B=卤素,n=1、2及3的某一项)、以及至少一种以上的卤素(B2)的光电变换层;以及设置在所述光电变换层上并与所述像素电极相对的电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子管器件株式会社,未经株式会社东芝;东芝电子管器件株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580015270.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top