[发明专利]放射线检测器无效
申请号: | 200580015270.9 | 申请日: | 2005-05-12 |
公开(公告)号: | CN1954442A | 公开(公告)日: | 2007-04-25 |
发明(设计)人: | 御子柴佳子;会田博之;川崎泰明;鬼桥浩志;本间克久 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子管器件株式会社 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;G01T1/24;H01L27/14;H04N5/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供能够提高光导电层的检测灵敏度的X射线检测器。使光导电层中含有重金属卤素化合物及卤素。能够形成抑制因X射线照射而引起的暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性的变化而稳定的光导电层。若在光导电层中含有剩余的卤素,则能够抑制在X射线照射时容易产生的重金属卤素化合物晶体结构中的卤素解离、以及伴随该解离而产生的晶体缺陷。卤素的解离,将在该光导电层中产生缺陷能级,成为电荷的深阱,对暗电流特性、灵敏度特性、以及余像特性产生影响。若光导电层中的剩余卤素过多,则卤素析出在晶界。妨碍光导电层的微晶间的导电性,大大妨碍X导电层的灵敏度特性、以及余像特性,余像将延长。 | ||
搜索关键词: | 放射线 检测器 | ||
【主权项】:
1.一种放射线检测器,其特征在于,具有采集电荷的像素电极;设置在所述像素电极上并将入射的放射线变换为电荷,并且分别包含至少一种以上的重金属卤素化合物(ABn:A=重金属,B=卤素,n=1、2及3的某一项)、以及至少一种以上的卤素(B2)的光电变换层;以及设置在所述光电变换层上并与所述像素电极相对的电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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