[发明专利]半导体存储器件

摘要

硫属化物材料与高熔点金属或硅氧化物膜的接合性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易剥离的问题。另外，硫属化物材料热稳定性差，因此具有在相变存储器的制造工序中容易升华的问题。在硫属化物材料层的上部和下部形成导电性或绝缘性的接合层，使剥离强度提高。另外，在硫属化物材料层的侧壁形成由氮化膜构成的保护膜来抑制升华。

主权项

1.一种半导体存储器件，其特征在于：包括半导体衬底；在上述半导体衬底的主面形成的选择晶体管；在上述选择晶体管之上设置的层间绝缘膜；插塞，贯穿上述层间绝缘膜地设置，与上述选择晶体管电连接；相变材料层，其一部分连接在上述插塞上地设置在上述层间绝缘膜之上；以及设置在上述相变材料层之上的上部电极，在上述相变材料层的下表面与上述层间绝缘膜的表面之间、在上述相变材料层的下表面与上述插塞的上端之间，具有接合层。