[发明专利]半导体器件的热处理系统有效
申请号: | 200580015302.5 | 申请日: | 2005-05-12 |
公开(公告)号: | CN1973365A | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 金亨骏;申东勋 | 申请(专利权)人: | 微传科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾晋伟;刘继富 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种用于半导体器件的热处理系统。所述热处理系统用于半导体器件的热处理过程,例如用于在包括液晶显示器(LCD)或有机发光器件(OLED)的平面显示面板的玻璃衬底表面上形成的非晶硅薄膜的结晶过程或形成的多晶硅薄膜的掺杂剂活化过程。在均匀预热半导体器件以防止在热处理过程中半导体器件的变形之后,所述热处理系统转移该半导体器件,在高温条件下利用灯加热器和来自感应电动势的感应供热来快速实施热处理过程,在均匀冷却半导体器件以防止当热处理过程完成时半导体器件变形之后,卸下半导体器件。所述热处理系统快速实施热处理过程,同时通过逐步加热或冷却半导体器件而防止半导体器件的变形。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 热处理 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于半导体器件的热处理系统,所述热处理系统包含:装载单元,用于运送半导体器件和支撑板,半导体器件安置在支撑板上,利用预定的预热温度来预热半导体器件和支撑板;加热单元,包括至少两个保持在预定温度水平的炉,所述预定温度水平逐步增加直至半导体器件的预定热处理温度,单独控制所述两个炉,从装载单元运送到加热单元的半导体器件由加热单元在预定的热处理温度下加热;冷却单元,包括至少两个炉,所述至少两个炉保持在预定热处理温度和预定冷却温度范围内的预定温度水平,单独控制所述两个炉,从处理单元运送到冷却单元的半导体器件由冷却单元在预定冷却温度下冷却;和卸载单元,用于在利用预定卸载温度均匀冷却半导体器件之后,卸下已经利用预定冷却温度冷却的半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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