[发明专利]在半导体器件中的间隙型导电互连结构无效
| 申请号： | 200580015363.1 | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1954414A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | A·K·斯坦珀 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法，以及这样形成的器件。沉积第一介质材料(12a－f)和第二介质材料(14a－f)的交替层，其中第一和第二介质材料可以不同的速率选择蚀刻。在介质材料的交替层中形成第一部件(22，24)。选择蚀刻介质材料的交替层以在具有第一介质材料的每层中除去第一介质材料的至少部分(26)并且留下第二介质材料基本上未蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 中的 间隙 导电 互连 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括如下步骤：沉积第一和第二介质材料的交替层，其中所述第一和第二介质材料可以不同的速率选择蚀刻；在所述介质材料的交替层中形成第一部件；以及选择蚀刻所述介质材料的交替层，以在具有所述第一介质材料的每层中除去所述第一介质材料的至少部分但非全部，并且留下所述第二介质材料基本上未蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
