[发明专利]压缩SiGe〈110〉生长的MOSFET器件无效
| 申请号： | 200580015396.6 | 申请日： | 2005-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101160664A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | K·K·陈;K·W·瓜里尼;M·耶奥;K·里姆;杨敏 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L31/036;H01L29/06;H01L31/0328;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于传导载流子的结构及其形成方法，结合具有〈110〉的上表面的Si或SiGe单晶衬底和SiGe伪晶或外延层，其具有不同于衬底的Ge浓度从而伪晶层处于应变。公开了一种形成半导体外延层的方法，结合在快速热化学气相沉积(RTCVD)工具中通过将工具中的温度升高到约600℃并且引入含Si气体和含Ge气体形成伪晶或外延层的步骤。公开了一种用于外延沉积化学处理衬底的方法，包括如下步骤：将衬底浸入一系列分别含有臭氧，稀HF，去离子水，HCl酸和去离子水的浴中，随后在惰性气氛中干燥衬底以获得无杂质并且具有小于0.1nm的RMS粗糙度的衬底表面。 | ||
| 搜索关键词： | 压缩 sige 110 生长 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于传导载流子的结构，包括：Si或SiGe的单晶衬底，具有<110>的上表面，以及SiGe伪晶层，在所述衬底上形成，具有的Ge浓度高于所述衬底的Ge浓度，从而所述伪晶层处于压缩应变。
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