[发明专利]聚酰亚胺树脂、层压薄膜、带金属层的层压薄膜及半导体装置无效
申请号: | 200580015687.5 | 申请日: | 2005-04-25 |
公开(公告)号: | CN1954015A | 公开(公告)日: | 2007-04-25 |
发明(设计)人: | 渡边拓生 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;B32B15/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 孙秀武;吴娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供玻璃化转变温度为200~320℃,以特定比例含有硅氧烷系二胺残基、芴系二胺残基和特定四羧酸二酐残基的聚酰亚胺树脂。本发明提供在有机溶剂中的可溶性高、具有优异耐热性的新型聚酰亚胺树脂组合物。另外,本发明提供粘合性、焊接耐热性高的层压薄膜以及带金属层的层压薄膜,提供使用了该带金属层的层压薄膜的可靠性高的半导体装置。 | ||
搜索关键词: | 聚酰亚胺 树脂 层压 薄膜 金属 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种聚酰亚胺树脂,至少含有酸二酐残基和二胺残基,其特征在于,玻璃化转变温度为200~320℃,作为二胺残基含有通式(1)所示的硅氧烷系二胺残基和通式(2)所示的芴系二胺残基,在总二胺残基中含有2~40摩尔%的该硅氧烷系二胺残基、4~82摩尔%的该芴系二胺残基,作为酸二酐残基含有选自通式(3)所示的四羧酸二酐和通式(4)所示四的羧酸二酐的至少1种酸二酐残基,[化1]
n表示1~30的范围;R1和R2可分别相同或不同,表示低级亚烷基或亚苯基;R3~R6可分别相同或不同,表示低级烷基、苯基或苯氧基;[化2]
R7~R22可分别相同或不同,选自氢原子、碳原子数1~30的烷基、碳原子数1~30的烷氧基、卤素、羟基、羧基、磺基、硝基和氰基;[化3]
X选自O、CO、S、SO、CH2、C(CH3)2及C(CF3)2;R23~R28可分别相同或不同,选自氢原子、碳原子数1~30的烷基、碳原子数1~30的烷氧基、卤素、羟基、羧基、磺基、硝基和氰基;[化4]
R65~R70可分别相同或不同,选自氢原子、碳原子数1~30的烷基、碳原子数1~30的烷氧基、卤素、羟基、羧基、磺基、硝基和氰基。
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