[发明专利]制造三族氮化物装置的方法及使用该方法制造的装置无效
| 申请号： | 200580015803.3 | 申请日： | 2005-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1957481A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 中村修二;S·迪巴尔司;J·艾德蒙;U·米史拉;C·史华波达 | 申请（专利权）人： | 美商克立股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 顾敏 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据本发明的一种用于制造具有高光提取的光子装置的方法，它包括：在一基片上生长一外延半导体结构及在该外延半导体结构上沉积一第一镜层，使该外延半导体结构夹在该第一镜层与该基片之间。将该外延半导体结构及其第一镜层与基片以倒装晶片方式装于一子基片上，使该外延半导体装置结构夹在该子基片与基片之间。接着通过向该基片引入一蚀刻环境而将该基片从该外延结构上移除。在该外延半导体结构上沉积一第二镜层，使该外延半导体结构夹在该第一与第二镜层之间。根据本发明的一种装置包括装于一子基片上的一共振腔发光二极管(RCLED)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 装置 方法 使用 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造具有高光提取的光子装置的方法，包括：在一基片上生长一外延半导体装置结构，所述外延半导体结构与基片包含一发射器，它被调整成响应于一偏压而发光；将所述发射器以倒装晶片方式装于一子基片上，使所述外延半导体装置结构夹在所述子基片与所述基片之间；及通过利用一蚀刻环境将所述基片从所述外延半导体装置上蚀刻掉，所述蚀刻环境蚀刻所述基片的速率实质上快于蚀刻所述外延半导体结构的速率。
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