[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200580015902.1 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1954429A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 竹村理一郎;黑土健三;河原尊之 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件。例如，与位线(BL)平行地配置多个扩散层(L)，在扩散层(L)之间与位线(BL)交替地配置栅极(G)，对在位线(BL)方向排列的多个扩散层(L)，按照每个扩散层(L)交叉地配置位线接触件(BC)和源极节点接触件(SC)，在源极节点接触件(SC)上设置相变元件，从而由2个存储单元晶体管(Q1、Q2)和1个相变元件构成1个存储单元(MC)。另外，相变元件也能够不设置在源极节点接触件(SC)上而设置在位线接触件(BC)上。由此，例如能够实现存储单元晶体管的驱动能力的提高和面积的减小等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：位线；配置在上述位线延长方向的第1晶体管和第2晶体管；以及利用电阻保持信息的存储元件，所述半导体器件的特征在于：上述第1晶体管的第1节点、上述第2晶体管的第1节点和上述存储元件的一端公共连接，上述第1晶体管的第2节点和上述第2晶体管的第2节点分别独立地连接在上述位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
