[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法

摘要

在半导体集成电路器件的老化步骤(S19)中，包括：在具有剥离机构的插座的焊盘上对半导体集成电路器件的突起电极进行定位的第1步骤；通过向半导体集成电路器件施加负荷而将上述突起电极向上述焊盘按压的第2步骤；以及由上述剥离机构向上述半导体集成电路器件赋予与上述第2步骤中的施加负荷方向成相反方向的力，将上述突起电极从上述焊盘剥离的第3步骤，通过顶起半导体集成电路器件而将上述突起电极从上述焊盘剥离，实现在老化测试中半导体集成电路芯片的自动插拔的容易化。

主权项

1.一种半导体集成电路器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)在晶片的第1主面上形成普通布线的步骤；(b)在上述普通布线上形成多个包括第1金属膜区域和第2金属膜区域的再布线的步骤；(c)在上述再布线上形成高分子树脂膜的步骤；(d)通过平版印刷方法在与上述高分子树脂膜的上述第1金属膜区域和第2金属膜区域对应的部分形成开口，由此形成多个第1金属焊盘区域和多个第2金属焊盘区域的步骤；(e)在每个上述第1金属焊盘区域形成突起的步骤；(f)在上述步骤(e)后，将上述晶片分割成多个半导体集成电路芯片的步骤；(g)使被分割的上述多个半导体集成电路芯片内的第1半导体集成电路芯片的与上述晶片的第1主面对应的突起形成面与老化测试用插座的电极面相对，在上述突起形成面的多个上述突起与设置于上述电极面的多个金属突起电极被相互压紧的状态下，执行老化测试的步骤；(h)在上述步骤(g)后，在上述突起形成面的上述多个第2金属焊盘区域内的至少一个焊盘区域，接触至少一个具有比上述焊盘区域窄的接触面的加压部件，通过向上述第1半导体集成电路芯片与上述电极面分离的方向加压，使上述金属突起电极与上述第1半导体集成电路芯片的上述软钎焊突起分离的步骤。