[发明专利]清洗衬底表面的方法

摘要

本发明提供了一种使用等离子体的表面清洗装置和方法，以从硅衬底表面去除自然氧化层、化学氧化层和损伤部分以及从金属表面去除污染物。H和N的混合气体被用作第一工艺气体。通过在等离子体生成器与衬底之间的接地栅格或隔板中吸收电势，使得仅基团能够到达衬底。HF被用作第二工艺气体。因此，在通过H₂流进行退火的步骤中，硅衬底上形成的自然氧化层、化学氧化层或损伤部分被去除。通过在对每个晶片加工之后引入调节气体，腔室的环境被保持为恒定。因此，改进了工艺再现性。

主权项

1.一种使用等离子体清洗衬底表面的方法，所述衬底表面具有诸如自然氧化物、化学氧化物的物质或者所述衬底表面上具有损伤部分，所述方法包括以下步骤：将第一工艺气体引入清洗装置的第一入口中，所述第一工艺气体是H2和N2的混合气体；在所述清洗装置的等离子体生成空间中生成并保持所述第一气体的等离子体；将HF气体构成的第二工艺气体加入所述清洗装置中的第二入口中，其中所述第二气体通过所述第一气体的等离子体而被激活为HF基团；形成作为所述第一气体、所述第二气体和所述衬底的所述表面上的所述物质的副产品的NxHyFz聚合物层；以及通过对所述衬底退火而去除所述聚合物层，以清洗所述衬底的所述表面。