[发明专利]铜掺杂磁半导体无效
| 申请号： | 200580016180.1 | 申请日： | 2005-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1998068A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 文卡特·拉奥;帕马南德·沙马;阿米塔·格普塔 | 申请（专利权）人： | NM斯平特罗尼克公司 |
| 主分类号： | H01L21/24 | 分类号： | H01L21/24;H01L21/324;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体材料、制造该材料的方法、以及应用该材料的方式，其中所述材料被掺杂以Cu或CuO，且至少在－55℃和125℃之间范围的一温度下是铁磁的。通常，所述材料可包括GaP或GaN。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料，其特征在于，其掺杂有铜Cu或铜氧化物CuO，且至少在-55℃和125℃之间的范围内的一温度下是铁磁性的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
