[发明专利]用于探针结合的硅晶片以及使用其进行结合的方法无效
申请号: | 200580016527.2 | 申请日: | 2005-06-14 |
公开(公告)号: | CN1957454A | 公开(公告)日: | 2007-05-02 |
发明(设计)人: | 李廷勋 | 申请(专利权)人: | 飞而康公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 在本文中公开了一种用于探针结合的硅晶片和使用该硅晶片进行探针结合的方法。该用于探针结合的硅晶片在结构上进行了改进,以便利在探针基底上的探针结合。探针结合方法包括将硅晶片上的支撑柱结合到探针基底上的凸起。硅晶片在其表面形成有探针尖以及位于探针尖端部的支撑柱,以具有预定的排列图案。硅晶片还包括贯穿其上表面到下表面的开口。各个所述支撑柱的与所述探针尖相对的第二端通过所述开口暴露到外面。 | ||
搜索关键词: | 用于 探针 结合 晶片 以及 使用 进行 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于探针结合的硅晶片,包括形成于所述硅晶片的第一表面的多个探针尖、以及多个支撑柱,所述支撑柱的每一个具有设置在所述多个探针尖中的每一个上的第一端,以具有预定的排列图案,所述硅晶片还包括:多个开口,其贯穿所述硅晶片形成,以将各个所述支撑柱的与所述探针尖相对的第二端暴露。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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