[发明专利]包括带有金属电极的电容器的集成电路以及制造这种电容器的方法无效
| 申请号： | 200580016703.2 | 申请日： | 2005-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1957442A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 奥马尔·哈利莫奥伊;雷伯哈·埃尔法尔汉;贝诺特·弗罗门特 | 申请（专利权）人： | ST微电子（克偌林斯2）股份有限公司;皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁兴龙;武玉琴 |
| 地址： | 法国克*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路(IC)，其包括至少一个带有金属电极的电容器，其中该电容器的两个电极(10或30)中的至少一个由至少表面硅化的半球状晶粒硅或者硅合金形成。本发明还涉及制造这种带有硅化的金属电极的电容器的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 带有 金属电极 电容器 集成电路 以及 制造 这种 方法 | ||
【主权项】：
1.集成电路(IC)，其包括至少一个带有金属电极的电容器，其特征在于，所述电容器的两个电极(10，30)中的至少一个由至少表面硅化的半球状晶粒硅或者硅合金形成。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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