[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件(10)，该半导体器件(10)包含衬底(11)和由硅形成的半导体本体(1)，该半导体本体(1)具有连续地包含至少第一和第二半导体层(2、3)的半导体层结构，并具有第一导电类型的表面区域，该表面区域设有场效应晶体管(M)，该场效应晶体管(M)的沟道为与该第一导电类型相反的第二导电类型，其中该表面区域设有用于该场效应晶体管(M)的第二导电类型的源区和漏区(4A、4B)，设有插在所述源区和所述漏区之间的低掺杂浓度的沟道区(3A)，该沟道区(3A)形成该第二半导体层(3)的一部分，并设有第一导电类型的掩埋半导体区(2A)，该掩埋半导体区(2A)掩埋在该沟道区(3A)之下且掺杂浓度远高于该沟道区(3A)，该掩埋半导体区(2A)形成该第一半导体层(2)的一部分。根据本发明，该半导体本体(1)不仅设有所述场效应晶体管(M)，还设有双极晶体管(B)，该双极晶体管(B)具有分别为第二、第一和第二导电类型的发射区、基区和集电区(5A、5B、5C)，该发射区(5A)形成于该第二半导体层内(3)且该基区(5B)形成于该第一半导体层(2)内。按照这个方式获得了Bi(C)MOS IC(10)，其非常适用于高频应用，且使用根据本发明的方法容易制造。优选地，该第一半导体层(2)包含Si－Ge且为δ掺杂，而第二半导体层(3)包含应变Si。

主权项

1.一种半导体器件(10)，包含衬底(11)和由硅形成的半导体本体(1)，该半导体本体(1)具有连续地包含至少第一和第二半导体层(2、3)的半导体层结构，并具有第一导电类型的表面区域，该表面区域设有场效应晶体管(M)，该场效应晶体管(M)具有与该第一导电类型相反的第二导电类型的沟道，其中该表面区域：设有用于该场效应晶体管(M)的第二导电类型的源区和漏区(4A、4B)；设有插在所述源区和所述漏区之间的低掺杂浓度的沟道区(3A)，该沟道区(3A)形成该第二半导体层(3)的一部分；并设有第一导电类型的掩埋半导体区(2A)，该掩埋半导体区(2A)位于该沟道区(3A)之下且掺杂浓度远高于该沟道区(3A)的掺杂浓度，并且该掩埋半导体区(2A)形成第一半导体层(2)的一部分，该半导体器件(10)的特征在于，半导体本体(1)不仅设有所述场效应晶体管(M)，还设有双极晶体管(B)，该双极晶体管(B)具有分别为第二、第一和第二导电类型的发射区、基区和集电区(5A、5B、5C)，所述发射区(5A)形成于第二半导体层(3)内且所述基区(5B)形成于第一半导体层(2)内。