[发明专利]半导体元件的外部钯镀敷结构以及半导体器件制造方法

摘要

在半导体封装的外部镀敷结构中，采用Pd或Pd合金膜作为材料代替作为焊接金属的常规焊料镀敷。提供了高度可靠的半导体元件外部镀敷结构，而不引起例如由须等导致的端子之间的短路的问题。在该外部镀敷结构中，在使用铜或铜合金材料的所述半导体元件的所述外部连接端子(10，12)的表面上，使用Pd或Pd合金(26)，代替作为焊接金属的常规焊料镀敷。在形成具有小于等于0.3μm厚度的镀敷膜的情况下，在所述材料与所述镀敷的Pd或Pd合金层之间进行镀敷，而在它们之间不具有基层或中间金属层。在所述镀敷膜上，根据情况，进一步形成具有小于等于0.1μm厚度的Au或Au合金镀敷(28)。

主权项

1.一种钯镀敷的引线终饰结构，其特征在于，在使用铜或基于铜合金的材料的半导体部件的外部连接端子的表面上，镀敷Pd或Pd合金至不大于0.3μm的厚度，而不在所述材料与所述Pd或Pd合金镀敷层之间夹入任何下伏层或任何中间金属层。