[发明专利]分离互补式掩模图案化转移方法有效
| 申请号： | 200580016892.3 | 申请日： | 2005-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1957448A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 塔伯·A·斯蒂芬;忠－诚·付;查尔斯·F·金 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/461;H01L21/4763;H01L21/3205;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种图案化方法，允许互补刻线集的单独转移。在一个实施例中，例如，该方法包括蚀刻相移掩模(PSM)(112)，然后对于cPSM掩模(110)蚀刻切割掩模。此外，分离互补式掩模图案化转移方法包括两个独立和分离的掩模图案化步骤，通过在最终晶片图案化之前使用到中间硬掩模(112)的局部图像转移，形成组合图案。选择中间硬掩模(112)和最终硬掩模(110)材料，以防止在最终蚀刻工艺之前将图像转移到下层衬底(102)或晶片中。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 互补 式掩模 图案 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件(100)的方法，该方法包括：提供具有第一层(106)的晶片(102)；在第一层(106)上形成第一硬掩模(110)；在第一硬掩模(110)上形成第二硬掩模(112)；根据第一图案(602)对第二硬掩模(112)图案化，其中，图案化包括蚀刻第二硬掩模(112)的第一厚度(118)；根据第二图案(1002)对第二硬掩模(112)第二次图案化，其中，第二次图案化包括蚀刻第二硬掩模(112)的第二厚度(116)；第二次图案化后，蚀刻第二硬掩模(112)以形成第二硬掩模(112)的第一多个图案结构(1802)；以第一多个图案结构(1802)蚀刻第一硬掩模(110)，以形成第一硬掩模(110)的第二多个图案结构(1804)；以及以第二多个图案结构(1804)蚀刻第一层(106)，以形成第一层(106)的第三多个图案结构(2602)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
