[发明专利]利用非对称俘获电场的线性离子阱装置和方法有效
| 申请号： | 200580016966.3 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101031990A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | G·J·威尔斯 | 申请（专利权）人： | 凡利安股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种线性离子阱包括四个电极、并用非对称俘获电场操作，其中俘获电场的中心偏离阱结构的几何中心。非对称俘获电场可包括提供四极分量的主AC电势以及附加AC电势。主AC电势施加于相对电极对之间，而附加AC电势施加在一对电极上。附加AC电势可添加一双极分量以使该俘获电场显现为非对称。附加AC电势还可添加用于非线性共振的六极分量。补充AC电势可施加在与附加AC电势相同的电极对上以增强共振激发。喷射的操作点可被设置成可使用纯共振条件来优先在一个方向上增大离子振荡的幅度。在复合电场中俘获的离子可通过质量选择在单个方向上喷射到电极之一的孔。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 对称 俘获 电场 线性 离子 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制离子运动的方法，包括：(a)通过将主AC电势施加到线性离子阱的电极结构上，产生包括四极分量的电离子俘获电场；(b)将附加AC电势施加于所述电极结构上，以使所述俘获电场的中心轴偏离所述电极结构的中心轴。
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