[发明专利]MRAM功率有效字节写入的颠倒磁性隧道结无效
| 申请号： | 200580017022.8 | 申请日： | 2005-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1957423A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | A·M·H·迪特韦格;R·库彭斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王勇 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种磁阻器件包含磁阻单元，每个单元包含自由磁性层和固定磁性层。该器件进一步包含用于每列磁阻单元的位线以及数字线。每条数字线被多个磁阻单元所共用并沿与位线垂直的方向放置。磁性层置于位线和数字线之间，但是与根据现有技术的通常布局颠倒，即，数字线置成与固定磁性层的距离小于与自由磁性层的距离。这使得可以降低总写入电流，其中靠近磁性层的线内的写入电流可以小于距离更远的线内的电流。因为被激活的位线的数目大于数字线，位线电流和数字线电流的总和可以降低。降低的总写入电流对于使用移动电池供电的应用是有用的，以最大化电池寿命。 | ||
| 搜索关键词： | mram 功率 有效 字节 写入 颠倒 磁性 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻器件，包含逻辑布置成行和列的多个磁阻单元，每个单元都包含自由磁性层(30)和固定磁性层(50)，该器件进一步包括于每列磁阻单元的位线(95)以及数字线(10)，每条数字线(10)被一行内的多个磁阻单元所共用并沿与位线(95)垂直的方向放置，数字线(10)和磁阻单元的固定磁性层(50)之间为第一距离，所述数字线(10)和同一磁阻单元的自由磁性层(30)之间为第二距离，该第一距离小于该第二距离。
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