[发明专利]包括具有自旋灵敏度的稀磁半导体的隧道结势垒层无效
| 申请号： | 200580017054.8 | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1998084A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 弗雷德里克·古斯塔夫森 | 申请（专利权）人： | NM斯平特罗尼克公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有隧穿势垒层的磁隧道结，其中所述隧穿势垒层包括具有自旋灵敏度的稀磁半导体。根据本发明该磁隧道结可包括耦合到底电极的底引线，该底电极耦合到稀磁半导体，该稀磁半导体耦合到顶电极，该顶电极耦合到顶引线，其中所述底电极是非磁的。本发明还提供采用根据本发明的磁隧道结的各种部件和计算机。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 自旋 灵敏度 半导体 隧道 结势垒层 | ||
【主权项】：
1.一种具有隧穿势垒层的磁隧道结，其特征在于所述隧穿势垒层包括具有自旋灵敏度的稀磁半导体。
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