[发明专利]用于形成沟槽隔离结构的方法无效
| 申请号： | 200580017325.X | 申请日： | 2005-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1965402A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 名仓映乃;清水泰雄;一山昌章 | 申请（专利权）人： | AZ电子材料（日本）株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人： | 刘激扬 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有硅质膜的基础材料，它在沟槽隔离结构的沟内部没有空隙和破裂，并且在基片和硅质膜之间具有优良的粘着性，还提供了一种制备具有硅质膜的基础材料的方法。沟槽隔离结构是通过这样一种方法形成的，该方法包括涂敷含硅聚合物溶液到有沟槽隔离槽的基片上(其表面已经被氮化硅内衬膜连续覆盖)，和在900℃～1200℃的温度下加热处理涂敷后的基片。具有硅质膜的基础材料是通过采用这种方法提供的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 沟槽 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成沟槽隔离结构的方法，包括以下步骤：在硅基片上形成具有连续涂敷有氮化硅内衬膜的表面的沟槽隔离槽；采用一种溶于有机溶剂中的含硅聚合物的溶液涂敷基片以形成含硅聚合物膜，该含硅聚合物选自由聚硅氮烷、硅倍半氧烷氢化物、和其混合物组成的组；和在900℃～1200℃的温度下通过热处理所述涂敷基片进行固化将含硅聚合物膜转化为二氧化硅膜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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