[发明专利]基于等离子体的离子注入的法拉第剂量和均匀度监测器

摘要

一种法拉第剂量和均匀度监测器可包括环绕目标晶片(20)的磁抑制环状法拉第杯(80)。窄孔可减少法拉第杯开口(60)内的放电。该环状法拉第杯可具有连续的截面以此消除由于中断而导致的放电。不同半径下的多个法拉第杯可独立测量电流密度以此监测等离子体均匀度中的变化。该磁抑制场可被配置成具有随距离非常迅速降低的场强以此将等离子体和注入扰动降到最小，并且可包括径向和方位分量或者主要方位分量。方位场分量可由交变极性的多个垂直取向的磁体产生，或者通过使用磁场线圈来产生。另外，剂量电子器件可提供高压下的脉冲电流的积分，而且可将这种集成电荷转变成光耦合至剂量控制器的光脉冲序列。

主权项

1.一种等离子体掺杂设备，包含：等离子体掺杂室；压板，安装在所述等离子体掺杂室中用于支撑工件；可电离气体源，耦合至所述室，所述可电离气体含有注入所述工件的所希望的掺杂剂；等离子体源，用于产生具有在所述工件附近的等离子体壳层的等离子体，所述等离子体含有所述可电离气体的阳离子，并且所述等离子体源用于使所述阳离子加速越过所述等离子体壳层朝向所述压板以注入所述工件；环状法拉第杯，被设置在所述压板周围用于收集加速越过所述等离子体壳层的所述阳离子的样本，所述样本表示注入所述工件的阳离子数；以及磁场发生机构，被定位成可在所述法拉第杯的收集表面产生磁场用于抑制二次电子从所述法拉第杯的逸出。