[发明专利]贱金属电极上的金属氧化物陶瓷薄膜有效
| 申请号： | 200580017468.0 | 申请日： | 2005-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1961391A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 闵研基;坚吉兹·A·帕兰独兹 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;C04B35/468 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法，包括形成电容器结构，该电容器结构包括电极材料、和电极材料上的陶瓷材料、以及在陶瓷材料的点缺陷态界定陶瓷材料是绝缘的、且不会氧化电极材料的条件下烧结陶瓷材料。一种方法，包括在导电箔片上沉积陶瓷材料、和在使点缺陷转换到对应更高电导率的陶瓷材料水平的活动性最小化的温度下，在还原气氛中烧结陶瓷材料。一种装置，包括第一电极、第二电极、和设置在第一电极和第二电极之间的陶瓷材料，其中陶瓷材料包括小于一微米的厚度、和与活动点缺陷的浓度最优化的热力学状态相对应的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 金属电极 金属 氧化物 陶瓷 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：形成包括电极材料和该电极材料上的陶瓷材料的电容器结构；以及在所述陶瓷材料的点缺陷状态限定所述陶瓷材料是绝缘的且所述电极材料不被氧化的条件下，烧结所述陶瓷材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580017468.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
