[发明专利]检测还原气体或醇的FET基传感器及制备和操作方法无效
| 申请号： | 200580017737.3 | 申请日： | 2005-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1997889A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | M·弗雷舍;H·马克斯纳;G·基斯;U·兰普 | 申请（专利权）人： | 迈克纳斯公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘明海 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及特别检测还原气体的传感器，和涉及制备和操作方法。FET基气体传感器由至少一个场效应晶体管和至少一个气体敏感层和参比层组成，其中所述两个层材料的在进气加载时产生的逸出功变化用于控制场效应结构，其中由金属氧化物组成的气体敏感层在测量气体可达到的其表面上包含氧化催化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 还原 气体 fet 传感器 制备 操作方法 | ||
【主权项】：
1.FET基气体传感器，其由至少一个场效应晶体管和至少一个气体敏感层和参比层组成，其中所述两个层材料的在进气加载时产生的逸出功变化用于控制场效应结构，其中由金属氧化物组成的气体敏感层在测量气体可达到的其表面上含有氧化催化剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于迈克纳斯公司，未经迈克纳斯公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580017737.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
