[发明专利]半导体装置和电子装置无效
| 申请号： | 200580017875.1 | 申请日： | 2005-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1961419A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 滝原裕贵;梶原洋一;土桥正典 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;李晓舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体装置中，减轻发热和功率损耗的问题，并保护半导体装置因过流而发生故障。半导体装置(10)有具有大电流输出的IC芯片(20)，测量用端子(Pw1)通过金布线电连接到IC芯片(20)内的第1焊盘(Pi1)，并将金布线的阻抗(Rp1)产生的电位差与规定的阈值比较，从而在电位差超过了规定的阈值的情况下，进行使PMOS型晶体管(Q1)截止的动作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，在具有IC芯片的半导体装置中，所述IC芯片包括过电流保护电路，其特征在于，该过电流保护电路包括：与输入用外部端子连接的第1焊盘；通过具有规定的电阻分量的布线而与所述第1焊盘电连接，不与任何外部端子连接的测量用端子；连接到输出用外部端子的第2焊盘；使所述测量用端子和所述第2焊盘的电连接导通/截止的开关电路；以及在所述第1焊盘和所述测量用端子之间的电位差超过了规定值时使所述开关电路截止的比较器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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