[发明专利]场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200580017918.6 | 申请日： | 2005-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1969390A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 中川清和;有元圭介;三井实 | 申请（专利权）人： | 株式会社山梨TLO |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在玻璃衬底上低温形成FET的制造方法。在玻璃衬底(1)上形成多晶硅层(2)，在多晶硅层上的要成为源极及漏极的区域上形成锗层(11、12)，至少向所述锗层引入成为掺杂剂的离子，然后，通过退火，使引入的掺杂剂向所述多晶硅层扩散，形成源极区域(S)及漏极区域(D)，并且使上述锗层结晶化。或者，以多晶硅层不形成为非晶态的程度的剂量，向多晶硅层也引入掺杂剂，然后进行使锗结晶化的退火。退火优选在500℃左右进行。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管的制造方法，其中，在玻璃衬底上形成多晶硅层，在所述多晶硅层上的要成为源极及漏极的区域上，选择性地形成锗层，至少向所述锗层引入成为掺杂剂的离子，然后，通过退火，使引入的掺杂剂向所述多晶硅层扩散，形成源极区域及漏极区域，且使所述锗层结晶化。
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