[发明专利]低热导率材料上氮化钽扩散阻挡区域的等离子体增强原子层沉积有效
| 申请号： | 200580018051.6 | 申请日： | 2005-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101036217A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 德伦·N·邓恩;金亨俊;斯蒂芬·M·罗斯纳杰尔;徐顺天 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及在低k材料上沉积氮化钽(TaN)扩散阻挡区域的方法。该方法包括在腔中通过进行等离子体增强原子层沉积(PE－ALD)在低k材料衬底(102)上从钽基前体和氮等离子体形成保护层(104)。保护层(104)具有比其钽含量大的氮含量。然后通过进行PE－ALD从钽基前体以及包括氢和氮的等离子体形成基本化学计量的氮化钽层。本发明还包括这样形成的氮化钽扩散阻挡区域(108)。在一个实施例中，该金属前体包括五氯化钽(TaCl5)。本发明产生低k材料与衬垫材料之间锐利的界面。 | ||
| 搜索关键词： | 低热 材料 氮化 扩散 阻挡 区域 等离子体 增强 原子 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上形成氮化钽扩散阻挡区域的方法，该方法包括步骤：在腔中通过进行第一数量的第一循环在低k材料衬底(102)上形成保护层(104)，每个第一循环包括：将该衬底暴露于钽基前体，将该腔抽真空，从该钽基前体和氮等离子体进行等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)，以及将该腔抽真空；以及在该腔中通过进行第二数量的第二循环形成随后的基本化学计量的氮化钽扩散阻挡层(108)，每个第二循环包括：将该衬底暴露于钽基前体，将该腔抽真空，从该钽基前体以及氢和氮的等离子体进行PE-ALD，以及将该腔抽真空。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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