[发明专利]光生伏打器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200580018107.8 | 申请日： | 2005-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN1965413A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | K·G·赫茨勒;A·图卡希斯基;B·M·弗里德曼;P·W·奥蒂兹 | 申请（专利权）人： | 圣戈本操作塑料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/048 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文涉及一种光生伏打器件，该器件包括光生伏打层、第一含氟聚合物层和第二含氟聚合物层。第一含氟聚合物层覆盖光电层的活性面。第二含氟聚合物层覆盖所述第一聚合物层。所述第二含氟聚合物层的熔点大于135℃，所述第一含氟聚合物层的熔点小于135℃。 | ||
| 搜索关键词： | 光生伏打 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光生伏打器件，其包括：光生伏打层；第一含氟聚合物层，该层覆盖光生伏打层的活性面，且熔点小于135℃；第二含氟聚合物层，该层覆盖第一含氟聚合物层，且熔点大于135℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
