[发明专利]改进的蚀刻方法有效
| 申请号： | 200580018116.7 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1977376A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | J·克卢斯特曼;P·迪克斯特拉 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种蚀刻结构的改进方法以及由该方法蚀刻的结构。结构的实例为IC封装的引线框的底侧，有利地可以通过所公开的方法对其进行蚀刻。该方法包括给要被蚀刻的衬底设置蚀刻掩模的步骤。该蚀刻掩模包括至少两个子掩模：覆盖在蚀刻工艺之后基本上保留下来的区域的第一子掩模，以及覆盖在蚀刻工艺中要被除去的区域的第二子掩模。第二子掩模为格栅形式的牺牲掩模。第二子掩模的存在增大了其所覆盖的区域的蚀刻速度。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1、蚀刻结构的方法，该方法包括下述步骤：-为第一材料的衬底(6，32)在该衬底的顶部上设置第二材料的采用所需图案的蚀刻掩模(80)，该蚀刻掩模包括至少两个子掩模：-以第一子图案覆盖第一区域的第一子掩模(70-73)，该第一子掩模在蚀刻工艺之后基本上保留下来，以及-以第二子图案覆盖第二区域的第二子掩模(74)，该第二子掩模是牺牲掩模，该牺牲掩模增大了该至少第二区域中的蚀刻速度，-对衬底蚀刻预定时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580018116.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
