[发明专利]存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200580018287.X | 申请日： | 2005-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1965408A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 加藤清;山口哲司;浅野悦子;泉小波 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/82;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于使用和便宜的存储器件，同时即使当存储器与其它功能电路在同一衬底上形成时，仍然保持产品规格和生产率。本发明的存储器件包括在绝缘表面上形成的存储单元。该存储单元包括具有两个杂质区域的半导体薄膜、栅极、以及连接相应杂质区域的两条接线。通过在栅极和两条接线的至少之一之间施加电压这两条接线彼此绝缘，以改变半导体薄膜的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括在绝缘表面上形成的存储单元，所述存储单元包括具有两个杂质区域的半导体薄膜、栅极、以及连接相应杂质区域的两条接线，其中通过在所述栅极和所述两条接线的至少之一之间施加电压来改变夹在所述存储单元的两条接线之间的所述半导体薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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