[发明专利]曝光装置及元件制造方法有效
| 申请号： | 200580018359.0 | 申请日： | 2005-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101095213A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 白石健一 | 申请（专利权）人： | 尼康股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明有关于一种曝光装置及元件制造方法，一曝光装置，根据液浸法而能高精度地进行曝光处理及测量处理。曝光装置(EX)，在投影光学系统(PL)的像面侧形成液体(LQ)的液浸区域(AR2)，透过投影光学系统(PL)与液浸区域(AR2)的液体(LQ)而使基板(P)曝光，其具备测量装置(60)，用以测量液浸区域(AR2)形成用的液体(LQ)的性质和/或成分。本发明还公开了元件制造方法及曝光装置的维护方法。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 装置 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光装置，在投影光学系统的像面侧形成液体的液浸区域，并透过投影光学系统与液浸区域的液体使基板曝光，其特征在于具备：测量装置，用以测量液浸区域形成用的液体的性质和/或成分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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