[发明专利]pn结型化合物半导体发光二极管无效
| 申请号： | 200580018500.7 | 申请日： | 2005-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN1969394A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 小田原道哉;宇田川隆 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种设置在晶体衬底上的至少具有作为发光层的由III族氮化物半导体形成的n型有源层以及在所述n型有源层上的包含p型杂质的III族氮化物半导体层的p－n结型化合物半导体发光二极管中，所述二极管具有沉积在所述包含p型杂质的III族氮化物半导体层上的室温下其带隙超过形成所述n型有源层的所述III族氮化物半导体的带隙且在未掺杂状态下呈现p型导电性的磷化硼基III－V族化合物半导体层，并且具有接合到所述磷化硼基III－V族化合物半导体层的表面的欧姆正电极。 | ||
| 搜索关键词： | pn 化合物 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种设置在晶体衬底上的pn结型化合物半导体发光二极管，其至少具有作为发光层的由III族氮化物半导体形成的n型有源层以及在所述n型有源层上的包含p型杂质的III族氮化物半导体层，所述二极管具有沉积在所述包含p型杂质的III族氮化物半导体层上的室温下其带隙超过形成所述n型有源层的所述III族氮化物半导体的带隙且在未掺杂状态下呈现p型导电性的磷化硼基III-V族化合物半导体层，并且具有接合到所述磷化硼基III-V族化合物半导体层的表面的欧姆正电极。
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