[发明专利]InP基板上的Ⅱ－Ⅵ/Ⅲ－Ⅴ多层结构有效
| 申请号： | 200580018674.3 | 申请日： | 2005-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1965452A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 孙晓光;托马斯·J·米勒;迈克尔·A·哈斯 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01L31/0248;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种包括InP基板和II－VI及III－V材料交替层的多层结构。一般地，II－VI及III－V材料交替层与InP基板晶格匹配或者假同晶。一般地，II－VI材料选自ZnSe、CdSe、BeSe、MgSe、ZnTe、CdTe、BeTe、MgTe、ZnS、CdS、BeS、MgS和它们的合金，更一般地，选自CdZnSe、CdMgZnSe、BeZnTe和BeMgZnTe合金，最一般选自CdxZn1－xSe，其中x在0.44和0.54之间。一般地，III－V族材料选自InAs、AlAs、GaAs、InP、AlP、GaP、InSb、AlSb、GaSb和它们的合金，更一般地选自InP、InAlAs、GaInAs、AlInGaAs和GaInAsP合金，最一般地选自InP或InyAl1－yAs，其中y在0.44和0.52之间。在一个实施方案中，该多层结构形成一个或多个分布布喇格反射镜(DBR)。另一方面，本发明提供一种含有InP基板和分布布喇格反射镜(DBR)的多层结构，该分布布喇格反射镜具有95％或更高的反射率并至多包括15对外延半导体材料涂层。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的激光器。另一方面，本发明提供一种含有本发明所述多层结构的光电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | inp 基板上 多层 结构 | ||
【主权项】：
1.一种多层结构，其包括：InP基板；以及II-VI和III-V材料的交替层。
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