[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200580019172.2 | 申请日： | 2005-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1969378A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 菅田胜;井谷晶;矶部昭仁;正村谦一 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23C16/509 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：处理室(10)、设置在处理室(10)内且相互对峙着设置的第一电极部(5)和第二电极部(11)、设置在第一电极部(5)的靠近第二电极部(11)的一侧且保护第一电极部(5)的石英板(13)，借助在第一电极部(5)和第二电极部(11)之间产生等离子体，激发处理室(10)内的反应气体，来对设置在第二电极部(11)的靠近第一电极部(5)一侧的被处理物进行等离子体处理。石英板(13)的靠近第二电极部(11)一侧的表面形成为粗糙面。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括：处理室、设置在所述处理室内且相互对峙着设置的第一电极部和第二电极部、设置在所述第一电极部的靠近所述第二电极部的一侧且保护所述第一电极部的保护板，借助在所述第一电极部和第二电极部之间产生等离子体，激发所述处理室内的反应气体，来对设置在所述第二电极部靠近第一电极部的一侧的被处理物进行等离子体处理，其特征在于：所述保护板的靠近所述第二电极部一侧的表面形成为粗糙面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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