[发明专利]氮化物半导体发光器件

摘要

一种具有由半导体晶体层制成的层压体S的氮化物半导体发光元件，其中层压体S包含n－型层2、发光层3和p－型层4。p－型层4具有要与p－侧电极P2接触的p－型接触层42。p－型接触层42包含第一接触层42a和第二接触层42b。第一接触层42a在一个表面上与p－侧电极P2接触并且在另一表面上与第二接触层42b接触。第一接触层42a由Al_x1In_y1Ga_z1N(0＜x1≤1，0≤y1≤1，0≤z1≤1)制成，第二接触层42b由Al_x2In_y2Ga_z2N(0≤x2≤1，0≤y2≤1，0≤z2≤1)制成。0≤x2＜x1，0≤y1≤y2，并且第一接触层42a的厚度为0.5nm－2nm。采用这种构造，降低了p－型接触层和p－侧电极之间的接触电阻，并且可以提供具有更低运行电压和减少生热问题的氮化物半导体发光元件。

主权项

1.一种氮化物半导体发光元件，包含层压体，该层压体包含氮化物半导体晶体层，其中所述层压体包含n-型层和p-型层，所述p-型层包含要与p-侧电极接触的p-型接触层，所述p-型接触层包含在一个表面侧要与p-侧电极接触的第一接触层和要与第一接触层的另一表面接触的第二接触层，所述第一接触层由Alx1Iny1Gaz1N(0＜x1≤1，0≤y1≤1，0≤z1≤1，x1+y1+z1＝1)组成，所述第二接触层由Alx2Iny2Gaz2N(0≤x2≤1，0≤y2≤1，0≤z2≤1，x2+y2+z2＝1)组成，0≤x2＜x1，0≤y1≤y2，并且所述第一接触层的厚度为0.5nm-2nm。