[发明专利]成膜装置和气化器无效
| 申请号： | 200580019315.X | 申请日： | 2005-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN1969375A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 饭塚八城;安室章;木村宏一郎;辻德彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜装置，其具有：供给由液体或气液混合物构成的原料的原料供给部；使原料气化并生成原料气体的原料气化部；和使用生成的原料气体进行成膜处理的成膜部，其中在从原料气化部至成膜部的导入部分的原料气体的输送路径的途中配置有过滤器(153)。过滤器(153)的外缘(153a)，利用相对于按压方向的负载比上述外缘(153a)难变形的环状支撑部件(158)，遍及其全周相对于输送路径的内面进行按压，在输送路径的内面与支撑部件(158)之间被压缩的状态下，固定在输送路径的内面上。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 气化 | ||
【主权项】：
1.一种成膜装置，其具有：供给由液体或气液混合物构成的原料的原料供给部；使所述原料气化并生成原料气体的原料气化部；和使用生成的所述原料气体进行成膜处理的成膜部，其特征在于：在从所述原料气化部至所述成膜部的导入部分的所述原料气体的输送路径的途中，配置有过滤器，所述过滤器的外缘，利用相对于按压方向的负载比所述外缘难变形的环状支撑部件，遍及全周相对于所述输送路径的内面进行按压，由此，在所述输送路径的内面与所述支撑部件之间被压缩的状态下，固定在所述输送路径的内面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
