[发明专利]纳米线半导体器件有效
| 申请号： | 200580019435.X | 申请日： | 2005-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1977385A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | E·A·希岑;E·P·A·M·巴克斯;R·J·E·赫廷;A·R·巴尔克宁德 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/336;H01L29/861 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 使用纳米线(16)来制造半导体器件。导电栅极(22)可以用来控制沿着纳米线(16)的导电性，在该情况下接触之一是漏极(12)，以及另一个是源极(18)。纳米线(16)可以生长在衬底(2)中的沟槽或通孔(8)中或特别地在衬底(2)的外延层(3)中。栅极(22)可以只提供在纳米线(16)的一端。纳米线(16)沿着其长度可以是相同的材料；可替换地，可以使用不同的材料，特别是邻近栅极(22)和在栅极(22)和沟槽的基底之间的不同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：限定相对的第一和第二主表面(4，6)的衬底(2)；基本上垂直于所述主表面(4)延伸的至少一个导电纳米线(16)，其沿纳米线(16)的长度限定本体区域(29)和漂移区域(28)；导电材料的栅极区域(22)，其与纳米线(16)绝缘并被设置邻近纳米线(16)的本体区域(29)且与纳米线(16)的漂移区域(28)端隔开，以控制纳米线的本体区域(29)中的纳米线的导电性。
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