[发明专利]半导体硅基板用热处理夹具有效
| 申请号： | 200580019566.8 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1969376A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 足立尚志 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/31;H01L21/324;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体硅基板用热处理夹具，其接触于半导体硅基板并对其进行保持，并被搭载于纵型热处理炉的热处理舟，其中，夹具形状是环结构或圆板结构，其厚度为1.5mm以上、6.0mm以下，在被搭载于所述热处理舟时的和所述半导体硅基板接触的区域的挠曲变位量在100μm以下，和所述半导体硅基板接触并对其进行保持的夹具的外径在该半导体硅基板的直径的65％以上，和所述半导体硅基板接触的面的表面粗糙度(Ra值)在1.0μm以上、100μm以下。根据该热处理夹具，在有效地降低平滑裂隙的发生的同时，避免基板背面的热氧化膜的成长抑制，能够消除在设备制造的光刻工序中成为散焦的原因的表面阶梯差。由此，能够维持半导体硅基板的高品质，并且可以大幅度地提高设备成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅基板用 热处理 夹具 | ||
【主权项】：
1.一种半导体硅基板用热处理夹具，其与半导体硅基板接触并对该半导体硅基板进行保持，并被搭载于纵型热处理炉的热处理舟，其特征在于，夹具形状是环结构或圆板结构，其厚度为1.5mm以上、6.0mm以下，在被搭载于所述热处理舟时的和所述半导体硅基板接触的区域的挠曲变位量在100μm以下，与所述半导体硅基板接触并对该半导体硅基板进行保持的夹具的外径在该半导体硅基板的直径的65％以上，与所述半导体硅基板接触的面的表面粗糙度(Ra值)在1.0μm以上、100μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
