[发明专利]Ⅲ族氮化物单晶体及其制造方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 200580019599.2 | 申请日： | 2005-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1969067A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/02;C30B19/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种制造III族氮化物单晶体的方法，由此提高源材料产量和增加晶体生长速率。一种III族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)之间形成200μm以下厚度的液体层(3)，以及在衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)上生长III族氮化物单晶体(4)。在此，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)可以由III族氮化物单晶体形成，而III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物多晶体形成。而且，液体层侧面上的至少表面层(1a)中的衬底(1)和III族氮化物源材料衬底(2)可以由III族氮化物单晶体形成，而衬底(1)的液体层侧面上的表面(1s)可以被制成III族原子表面，以及III族氮化物源材料衬底(2)的液体层侧面上的表面(2s)可以被制成氮原子表面。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 单晶体 及其 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物单晶体制造方法，其中在衬底和III族氮化物源材料衬底之间形成200μm或以下厚度的液体层，以及在所述衬底的液体层侧上的表面上生长III族氮化物单晶体。
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