[发明专利]生长晶体的方法有效
| 申请号： | 200580019698.0 | 申请日： | 2005-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN1968741A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | M·F·布特勒;M·赫彭斯塔尔－布特勒;C·劳林斯 | 申请（专利权）人： | 荷兰联合利华有限公司 |
| 主分类号： | B01J13/02 | 分类号： | B01J13/02;A61K9/50;A23P1/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张轶东;黄可峻 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供了一种组合物，其包含被大量盐晶体的连续层密封的感兴趣的物质，其中所述层对感兴趣的物质不渗透。还提供了一种制备大量盐晶体的连续层的方法，所述盐包括阳离子和阴离子，所述方法包括(i)提供基质，其包含大量带负电荷的阳离子的结合位点和/或大量带正电荷的阴离子的结合位点，和(ii)将所述基质与所述盐的溶液在引起盐晶体形成晶核的条件下接触，所述盐晶体在大量所述结合位点处包含阳离子和阴离子，大量带电结合位点存在于基质的表面上，其密度足以使所得大量盐晶体形成连续层。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种组合物，包含被大量盐晶体的连续层密封的感兴趣的物质，其中所述层对所述感兴趣的物质不渗透。
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