[发明专利]用于非导电材料中阳离子－电子侵入和碰撞的系统无效
| 申请号： | 200580019823.8 | 申请日： | 2005-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101010255A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | 塔里克·奈萨 | 申请（专利权）人： | 塔里克·奈萨;埃里克·莱维特;阿拉什·莫法哈米 |
| 主分类号： | C01B3/00 | 分类号： | C01B3/00 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 | 代理人： | 桑丽茹 |
| 地址： | 芬兰赫*** | 国省代码： | 芬兰;FI |
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| 摘要： | 本发明公开了一种引起H+离子和电子侵入到非导电材料(2)内部以促进它们之间以低能发生碰撞。更特别地，本发明涉及用于从含氢化合物(3)和至少一个阴极(4)开始，碰撞至少一个H+离子和至少一个电子的装置，该装置的特征在于其包括：至少一个电磁场发生器，用于从所述含氢化合物(3)提取所述H+离子，并且朝向所述阴极(4)转移所述H+离子；和至少一个非导电材料，位于至少一部分所述含氢化合物和所述阴极(4)之间；在所述非导电材料内发生所述碰撞。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 导电 材料 中阳 离子 电子 侵入 碰撞 系统 | ||
【主权项】：
1、一种用于从含氢化合物和至少一个阴极开始，碰撞至少一个H+离子和至少一个电子的装置，该装置的特征在于其包括：至少一个电磁场发生器，用于从所述含氢化合物提取所述H+离子，并且朝向所述阴极转移所述H+离子；和至少一个非导电材料，位于至少一部分所述含氢化合物和所述阴极之间；在所述非导电材料内发生所述碰撞。
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