[发明专利]使用微电阻率装置获得浅Rxo和深方位地层电阻率无效

专利信息
申请号: 200580020274.6 申请日: 2005-05-05
公开(公告)号: CN1969200A 公开(公告)日: 2007-05-23
发明(设计)人: 安东尼奥·发勃利斯;拉什德·卡霍卡哈尔 申请(专利权)人: 贝克休斯公司
主分类号: G01V3/02 分类号: G01V3/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种电阻率测井工具,包括一个或多个衬垫(307a、307b、307c、307d)用于进行地层的方位电阻率测量。测量来自衬垫(307a、307b、307c、307d)、屏蔽电极(331b、331c、331b′、331c′)和测量电极的电流,同时监视各对监视电极(321a、321b、321a′、321b′)之间的电压差。此外,在衬垫上提供微电极(309a、309b)以得到高分辨率电阻率测量。
搜索关键词: 使用 电阻率 装置 获得 rxo 方位 地层
【主权项】:
1.一种对地层的感兴趣参数进行测量的装置,包括:(a)细长的本体;(b)在该本体上的第一屏蔽电极;(c)第二屏蔽电极,包括至少一个导电衬垫,通过扩展装置与该细长本体机械耦合,该至少一个导电衬垫处于与本体的相邻部分基本相同的电位。
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