[发明专利]抗反射基底用防污涂料无效

专利信息
申请号: 200580020387.6 申请日: 2005-03-21
公开(公告)号: CN1972759A 公开(公告)日: 2007-05-30
发明(设计)人: 马克·J·佩莱里特;鲁道夫·J·达姆斯;史蒂文·J·马丁 申请(专利权)人: 3M创新有限公司
主分类号: B05D7/24 分类号: B05D7/24;C23C14/12;C23C14/24;C09D171/00;C09D183/08
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 郇春艳;郭国清
地址: 美国明*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种抗反射基底用的防污组合物。更具体而言,本发明涉及在抗反射基底上沉积防污组合物的方法。特别地,本发明涉及一种在抗反射基底上沉积防污组合物的方法,包括蒸发防污组合物和在抗反射基底上沉积防污组合物。在另一个方面中,本发明涉及制备抗反射膜叠层的方法,包括在透明基底的表面上沉积抗反射层和在抗反射层的表面上气相沉积防污层。在另一个方面中,本发明涉及一种在抗反射涂布的眼用透镜上沉积防污组合物的方法,包括蒸发防污组合物和在抗反射涂布的眼用透镜上沉积防污组合物。
搜索关键词: 反射 基底 防污 涂料
【主权项】:
1.一种在抗反射基底上沉积防污组合物的方法,包括蒸发防污组合物和在抗反射基底上沉积防污组合物,其中防污组合物选自:CnF2n+1O(CF(CF3)CF2O)zCF(CF3)C(O)NHCxH2xSi(L)3,其中n是1~4,z是3~15,x是1~10,L选自-OR和-NR′2,其中R是含有1~10个碳原子的烷基,R′选自H和含有1~10个碳原子的烷基;X-CF(CF3)(OCF2CF(CF3))mO(CnF2n)O(CF(CF3)CF2O)qCF(CF3)-X,其中m是0~40的整数,n是2~4的整数,q是0~40的整数,其中m和q都不等于0,和X是-C(O)NH(CH2)qSi(L)3,其中q是1~10,L选自-OR和-NR′2,其中R是含有1~10个碳原子的烷基,R′选自H和含有1~10个碳原子的烷基;和XCF2O(CF2O)m(C2F4O)pCF2X,其中m是1~20,p是1~20,X是-C(O)NH(CH2)qSi(L)3,其中q是1~10,L选自-OR和-NR′2,其中R是含有1~10个碳原子的烷基,R′选自H和含有1~10个碳原子的烷基;和其组合,其中防污组合物的平均分子量为800~6000。
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