[发明专利]EUV光源、EVU曝光装置、及半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 200580020398.4 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1973357A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 白石雅之 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;G21K5/02;G21K5/08;H05G2/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在已加热的贮槽(4)内，收纳有具有Sn的原子数％小于等于 15％的组成的Sn－Ga系合金。将已用压力泵加压的Sn合金导入喷嘴(1)，并从设置在真空室7内的喷嘴(1)的前端喷出液态Sn合金。从喷嘴(1)所喷出的液态Sn合金因表面张力而形成为球形，而作为靶(2)。由配置在真空室(7)的外部的Nd:YAG激光源(8)产生的激光，在透镜(9)聚光并导入真空室(7)内。将被照射了激光的靶(2)等离子体化，并辐射包含EUV光的光。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光源 evu 曝光 装置 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种EUV光源，将靶物质等离子体化，并将此时所放出的EUV光作为光源，其特征在于，上述靶为Sn的原子数％小于等于15％的锡-镓系合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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