[发明专利]用于防止CMOS存储器单元内锁增的电路有效
| 申请号： | 200580020516.1 | 申请日： | 2005-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101032026A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | R·M·凯普勒;S·沙里夫扎得 | 申请（专利权）人： | 柏树半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H02H9/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种CMOS电路(40)，其中包括沿着该电路电源总线(42)或接地总线(44)排列的限流器件(46，48)。限流器件(46，48)被配置成防止CMOS电路(40)的锁增。更具体地，限流器件(46，48)被配置成维持寄生pnpn二极管结构的结为反向偏压。还提供了一种方法，该方法包括创建被排列在沿其电源总线没有排列限流器件的第一CMOS电路内的pnpn二极管结构的电流－电压图。此外，该方法还包括根据该电流－电压图确定保持电流电平，以及调整限流器件的大小以沿着包含与该第一CMOS电路类似的设计规范的第二CMOS电路的电源总线放置，以使流经该第二CMOS电路的电流不超过保持电流电平。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 防止 cmos 存储器 单元 内锁增 电路 | ||
【主权项】：
1.一种微电子电路，包括：一组互补场效应(CMOS)晶体管；耦合至所述一组CMOS晶体管的电源总线；以及沿着所述电源总线排列的限流器件，其中所述限流器件被配置成防止所述CMOS晶体管的锁增。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于柏树半导体公司，未经柏树半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580020516.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无内胆饮水机的热水量控制装置
- 下一篇：一种光学视觉效应测试装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
