[发明专利]等离子体处理装置和方法

摘要

本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压V_dc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。

主权项

1.一种等离子体处理装置，其特征在于：包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和第二电极；向所述第一电极或第二电极供给等离子体形成用的第一高频电力的第一高频电力供给单元；和向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元，在所述第一电极和第二电极之间生成处理气体的等离子体，对被处理基板的规定层进行等离子体处理，还包括向所述第一电极或第二电极施加直流电压或交流电压的电源，控制来自所述电源的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个，使得：施加电极表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对施加电极表面的规定的溅射效果的程度，或者使施加电极的等离子体鞘的厚度扩大，在所述施加电极的相对电极侧，形成被缩小的等离子体，或者使在施加电极附近生成的电子照射在所述被处理基板上，或者将等离子体电位控制为期望的值，或者使等离子体密度上升，或者使等离子体密度的分布均匀至可得到期望的蚀刻均匀性的程度。