[发明专利]长波长VCSEL的隧道结无效
| 申请号： | 200580020520.8 | 申请日： | 2005-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1973378A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | R·巴特;西山信彦 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有最小受体氢钝化的隧道结器件(102)包括碳掺杂的第一半导体材料的p－型隧道结层(106)。该第一半导体材料包括铝、镓、砷、和锑。第二半导体材料的n－型隧道结层(104)包括铟、镓、砷、以及铝和磷之一。p－型和n－型隧道结层之间的结形成隧道结(110)。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 vcsel 隧道 | ||
【主权项】：
1.一种具有最小受体氢钝化的隧道结器件，包括：碳掺杂的第一半导体材料的p-型隧道结层，其中所述第一半导体材料包括铝(Al)、镓(Ga)、砷(As)和锑(Sb)；以及第二半导体材料的n-型隧道结层，其中所述第二半导体材料包括铟(In)、镓(Ga)、砷(As)以及铝(Al)和磷(P)之一；以及所述隧道结层之间的隧道结。
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